技術(shù)編號：8207339
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本實(shí)用新型屬于一種硅單晶生長裝置，尤其指一種硅單晶生長用勾形電磁場裝置。 背景技術(shù)近年來，集成電路的設(shè)計(jì)線寬正在向納米尺度發(fā)展，在降低功耗和器件單位成本、 提高速度和頻率、減少其它物理效應(yīng)的負(fù)面影響方面均對半導(dǎo)體材料提出了新的要求。 大直徑、高質(zhì)量硅單晶的生長技術(shù)成為當(dāng)前半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的研發(fā)熱點(diǎn)。如果硅單晶直 徑增大，那么用料量必將加大，坩堝直徑和熱場尺寸也相應(yīng)增大，必將導(dǎo)致熔體中熱對 流加劇。當(dāng)采用傳統(tǒng)的直拉法生長晶體時(shí)，熔體易出現(xiàn)渦流，固液界面形狀、溫度梯度 以及氧濃度分布的均勻性難于控制，不易達(dá)到點(diǎn)缺...
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