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在氮化物中，第III族氮化物半導(dǎo)體，如GaN、AlGaN、AlN或InN等寬禁帶半導(dǎo)體材 料是制備藍(lán)光到紫外光波段的半導(dǎo)體發(fā)光二極管（LED)、半導(dǎo)體激光器（LD)等光電器件的 首選材料。由于III族氮化物基材料具有電子飽和漂移速度高、介電常數(shù)小、導(dǎo)熱性能好、 化學(xué)和熱穩(wěn)定性好等特點(diǎn)，因此廣泛應(yīng)用于制造高性能光電子器件、大功率電子器件W及 高頻設(shè)備。 高質(zhì)量的晶態(tài)氮化物薄膜是決定氮化物器件性能及可靠性的關(guān)鍵。然而，目前 高質(zhì)量晶態(tài)氮化物薄膜生長技術(shù)均需高...
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