技術(shù)編號：8224814
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。由于在功率晶體管的操作上需要大電流及低導通電阻，在可靠性能的要求也逐漸提尚。如圖1所示，功率晶體管包括N型源極區(qū)1、N型反轉(zhuǎn)層2、第一金屬層3、層間絕緣體4、多晶硅柵(Gate Poly)5、柵氧化層(Gate Oxide) 6、P井區(qū)7、N型外延區(qū)8、漏極9。在操作上要在柵極和源極之間加正電壓VGS來產(chǎn)生N型反轉(zhuǎn)層造成電流通路，在Drain Source之間加正電壓VDS，以產(chǎn)生正向工作電流ID，因此導通電電阻會受源極(source)及N型反轉(zhuǎn)層通道電阻...
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