技術(shù)編號(hào)：8224815
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。 在0. 18iimB⑶工藝中，使用常規(guī)STI(淺槽隔離）作為L(zhǎng)DM0S(橫向擴(kuò)散金屬氧 化物半導(dǎo)體）漂移區(qū)場(chǎng)板介質(zhì)，如圖1所示。 作為隔離使用的STI，其深度一般約為3300A，角度約為80度。仿真和實(shí)際的硅結(jié) 果表明，LDM0S的導(dǎo)電通路上的Idlin(線性區(qū)電流）受這層STI的影響很大，但是由于STI 的深度和刻蝕角度的限制，LDM0S的耐壓和導(dǎo)通電阻無法做到最優(yōu)化，所以無法實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通 電阻的LDM0S。發(fā)明內(nèi)容 本發(fā)明要解決的技術(shù)問題之一是提供一種...
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