技術(shù)編號(hào):8224950
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。GaN材料的研宄與應(yīng)用是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體的第三代半導(dǎo)體材料,GaN外延襯底常見(jiàn)有Si/SiC/Al203,而相對(duì)于Si襯底原料成本低、襯底散熱系數(shù)大、可試做大尺寸的硅襯底等優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行研發(fā)。雖然Si襯底相對(duì)其他材料有襯底原料成本低、襯底散熱系數(shù)大等優(yōu)點(diǎn),但同時(shí)也存在一些負(fù)面的影響,如晶格失配率高、熱膨脹系數(shù)大、外延膜降溫過(guò)程中產(chǎn)生裂紋及高溫外延過(guò)程中片子翹曲度大。此類問(wèn)題都均影響外延GaN的生長(zhǎng),故對(duì)襯底硅片的彎曲度/翹曲度值控制在小范圍...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。