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技術(shù)編號(hào)：8248142

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GaN基III族氮化物是寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料，在發(fā)光二極管(Light EmittingD1de，簡(jiǎn)稱(chēng)LED)、激光器、功率器件、紫外光探測(cè)器等領(lǐng)域被大量研宄和應(yīng)用。目前GaN基LED外延片采用圖形化藍(lán)寶石襯底(Patterned Sapphire Substrate，簡(jiǎn)稱(chēng)PSS)作為襯底材料，現(xiàn)有的基于PSS的GaN的生長(zhǎng)方法為在PSS上依次生長(zhǎng)低溫緩沖層、三維GaN層、二維GaN層。其中，三維GaN層為呈三維島狀的GaN層，二維GaN層為呈平面狀的G...
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