技術(shù)編號(hào)：8283730
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。 本專利文件中描述的技術(shù)通常涉及半導(dǎo)體材料，更具體地，涉及半導(dǎo)體材料的加 工。背景技術(shù) 通常通過(guò)多種工藝制造現(xiàn)代半導(dǎo)體器件。例如，可以摻雜（例如，將期望的雜質(zhì)添 加至襯底內(nèi)）用于制造器件的半導(dǎo)體襯底以形成結(jié)。在襯底上可以制造半導(dǎo)體器件之前， 通常電活化引入至襯底內(nèi)的摻雜劑。摻雜劑的活化通常包括將摻雜劑原子/分子從間隙位 置轉(zhuǎn)移至襯底的晶格結(jié)構(gòu)的晶格格位內(nèi)?？梢允褂弥T如快速熱退火（RTA)和激光退火的不 同的退火技術(shù)來(lái)活化摻雜劑。 在特定情況下，半導(dǎo)體器件的...
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