技術(shù)編號：8303567
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 本發(fā)明設(shè)及一種半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置例如能夠適用于在民用設(shè)備的電源電 路等中使用的功率開關(guān)元件，并由氮化物半導(dǎo)體構(gòu)成。背景技術(shù) W氮化嫁（GaN)為代表的III族氮化物半導(dǎo)體是例如氮化嫁（GaN) W及氮化侶 (A1N)的禁帶寬度在室溫下分別是較大的3. 4eV W及6. 2eV的寬帶隙半導(dǎo)體，具有絕緣擊穿 電場較大、并且電子飽和速度比神化嫁（GaAs)等的化合物半導(dǎo)體、娃（Si)等的電子飽和速 度大的特征。因此，作為高頻用電子器件或者高功率電子器件，...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。