技術(shù)編號：8320753
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于鐵電存儲，具體涉及非破壞性讀出鐵電存儲器，尤其涉及一種基于具有間隙的電極進(jìn)行非破壞性讀出操作的鐵電存儲器以及該鐵電存儲器的制備方法和讀/寫操作方法。背景技術(shù)鐵電隨機(jī)存儲器FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)是利用鐵電疇(或稱為“電疇”)在電場中兩種不同極化取向作為邏輯信息(“O”或“I”)來存儲數(shù)據(jù)的非易失性存儲器(Non-volatile Memory),其也可以稱為“鐵電存儲器”。鐵電存儲器的存儲...
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