技術(shù)編號(hào)：8320850
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 本發(fā)明涉及一種背接觸式太陽能電池，具體為一種在慘雜有第一型半導(dǎo)體材料的 半導(dǎo)體基板本體上沉積本征層與第二型半導(dǎo)體層的背接觸式太陽能電池。背景技術(shù) 在石油危機(jī)與溫室效應(yīng)的前提下，太陽能是最不會(huì)產(chǎn)生污染且能永續(xù)利用的能 源，也因此太陽能電池的發(fā)展便蓬勃而起。一般來說，太陽能電池的構(gòu)造主要是在娃晶片中 慘雜P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體來形成PN接面，并在太陽能電池受光照射而產(chǎn)生電子空穴對(duì) 時(shí)，利用PN接面所產(chǎn)生的內(nèi)建電場(chǎng)來將電子與空穴分離，接著再通過電極所形成的回路...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。