技術編號：8328914
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。半導體光催化因其在環(huán)境治理和新能源開發(fā)方面的優(yōu)勢，近年來成為被廣泛關注的前沿課題之一。目前研宄最廣泛的光催化材料是T12,但是其存在太陽光利用率低，光生電子-空穴對復合率高等不易克服的缺點。針對1102光催化材料進行改性，如離子摻雜、半導體復合和貴金屬沉積、表面敏化等，雖然可以部分地改善T12光催化材料的性能，但仍然存在很多關鍵性的科學問題沒有解決。因此，開展新型非傳統(tǒng)高活性、高能效光催化材料的研宄，已成為光催化領域的一個重要方向，其中，多元金屬氧化物材料...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。