技術(shù)編號：8341126
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體而言，涉及。背景技術(shù)雙重圖案化是一種為了光刻以增加部件密度而發(fā)展的技術(shù)。通常，為了在晶圓上形成集成電路的部件而使用光刻技術(shù)，該光刻技術(shù)包括應(yīng)用光刻膠，并在光刻膠上限定部件。首先在光刻掩模中限定圖案化的光刻膠中的部件，并且通過光刻掩模中的透明部分或不透明部分實(shí)施。然后將圖案化的光刻膠中的部件轉(zhuǎn)印至制造的部件。隨著集成電路的持續(xù)的按比例縮小，光學(xué)鄰近效應(yīng)將帶來越來越大的問題。當(dāng)兩個(gè)分隔開的部件彼此太接近時(shí)，光學(xué)鄰近效應(yīng)可能引起部件...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。