技術(shù)編號：8341141
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體器件尺寸的不斷縮小是推動集成電路制造技術(shù)改進(jìn)的主要因素。由于調(diào)整柵氧化物層的厚度和源/漏極的結(jié)深度的限制，很難將常規(guī)的平面MOSFET器件縮小至32nm以下的工藝，因此，已經(jīng)開發(fā)出多柵極場效應(yīng)晶體管(Mult1-Gate M0SFET)。典型的多柵極場效應(yīng)晶體管為FinFET (鰭形場效應(yīng)晶體管)，它使得器件的尺寸更小，性能更高。FinFET包括狹窄而獨立的鰭片，鰭片在半導(dǎo)體襯底的表面延伸，例如，刻蝕到半導(dǎo)體襯底的硅層中。FinFET的溝道形成在該鰭...
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