技術(shù)編號(hào)：8363203
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。隨著半導(dǎo)體工業(yè)已發(fā)展到追求更高器件密度、更高性能和更低成本的納米技術(shù)工藝節(jié)點(diǎn)上，來(lái)自制造和設(shè)計(jì)問題的挑戰(zhàn)都導(dǎo)致了諸如鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)的三維設(shè)計(jì)的發(fā)展。典型的FinFET通過從襯底上伸出薄的垂直“鰭”(或鰭結(jié)構(gòu))來(lái)制造，該“鰭”(或鰭結(jié)構(gòu))例如通過蝕刻掉襯底的硅層的一部分而形成。FinFET的溝槽在這個(gè)垂直鰭中形成。在鰭上方提供(例如，包覆)柵極。在溝槽的兩側(cè)上具有柵極實(shí)現(xiàn)了由兩側(cè)對(duì)溝槽的柵極控制。此外，可以使用采用選擇性生長(zhǎng)硅鍺(SiGe)...
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