技術(shù)編號：8363207
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。專利說明 相關(guān)申請交叉引用 將2013年11月28日提交的日本專利申請No. 2013-245845的公開內(nèi)容，包括說 明書，附圖以及摘要，整體并入本文作為參考。 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，并且例如優(yōu)選用于采用氮化物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體器件 以及制造半導(dǎo)體器件的方法。背景技術(shù) 近年來，已經(jīng)關(guān)注采用具有大于硅（Si)的帶隙的III-V族化合物的各種半導(dǎo)體器 件。在這些器件中，已經(jīng)對采用氮化鎵（GaN)的半導(dǎo)體器件進(jìn)行了研發(fā)，它們具有以下優(yōu)點(diǎn) (1)大擊穿電場，（2...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。