技術編號：8363220
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。圖1為現(xiàn)有技術中薄膜晶體管的截面示意圖，如圖1所示，該薄膜晶體管包括位于襯底基板I上的柵極2，位于柵極2上方的柵絕緣層3，位于柵絕緣層3上方的有源層4，位于有源層4上方的源極5和漏極6。當柵極電壓的高于薄膜晶體管的閾值電壓時，源極5和漏極6通過有源層導通，載流子從源極5流向漏極6或者從漏極6流向源極5。當現(xiàn)有技術中的薄膜晶體管處于工作狀態(tài)時，在源極5與柵極2之間以及漏極6與柵極2之間均會存在較大的寄生電容，該寄生電容會對有源層中載流子的運動產(chǎn)生較大干擾，從...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。