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根據(jù)有源層材料的不同，薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)主要有氧化物半導(dǎo)體TFT (簡稱氧化物TFT)和非晶硅TFT兩種。氧化物TFT因其具有更大的開關(guān)電流比，即打開時(shí)電流更大，充電時(shí)間更短；關(guān)斷時(shí)，漏電流更小，不容易漏電，使其更適合制作高分辨率(高清晰度)、高刷新率(動(dòng)態(tài)畫面更流暢)的高端顯示產(chǎn)品。背溝道刻蝕(BCE，Back Channel Etch)結(jié)構(gòu)的氧化物TFT因其結(jié)構(gòu)簡單、制作工藝簡易、尺寸小，寄生電容小等優(yōu)點(diǎn)，得...
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