技術(shù)編號(hào)：8367609
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電子器件和一種根據(jù)權(quán)利要求12所述的用于制造光電子器件的方法。相關(guān)申請(qǐng)的交叉參引本申請(qǐng)要求德國(guó)專利申請(qǐng)102012217640.3的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容通過參考并入本文。背景技術(shù)在基于由III族氮化物材料體系構(gòu)成的半導(dǎo)體、例如基于InGaN-GaN且具有由多個(gè)量子膜(Mult1-Quantum-Well ;MQW，多量子阱)構(gòu)成的有源區(qū)的發(fā)光二極管中，在現(xiàn)有技術(shù)中顯示出如下問題，并非全部的量子膜都能夠最佳地且均勻地共同運(yùn)行...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。