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F畑(FastRecovery Diode,快恢復(fù)二極管）的基本結(jié)構(gòu)與普通二極管不同，它一 般是PIN型結(jié)構(gòu)，即在P型和N型娃材料中間增加了一個(gè)基區(qū)I層。由于基區(qū)薄，反向恢復(fù) 電荷小，不僅大大減小了 值（反向恢復(fù)時(shí)間），降低了V?(正向壓降），也能承受較高的 V?(反向電壓）。F畑還有其它一些結(jié)構(gòu)，如PINN\P+PINN+，但一般都是在PIN結(jié)構(gòu)上的衍 生。 目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用較多的F畑有IGBT配套用F畑，它的額定電壓一般在3300V及 W下，巧片外形呈方塊...
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