技術(shù)編號：8398701
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。在半導(dǎo)體處理領(lǐng)域廣泛應(yīng)用電感耦合型(ICP)等離子處理設(shè)備，ICP等離子處理設(shè)備具有反應(yīng)氣體解離率高這一優(yōu)點，相比電容耦合型同樣功率的RF電源能夠產(chǎn)生濃度更高的等離子體，在硅刻蝕領(lǐng)域被廣泛采用。如圖3所示為典型的ICP反應(yīng)器結(jié)構(gòu)，ICP反應(yīng)器包括反應(yīng)腔100，反應(yīng)腔內(nèi)包括基座20，基座上方固定有待處理的基片?；型ǔ＿€通過一個匹配網(wǎng)絡(luò)I連接到一個低頻的射頻電源，以控制刻蝕中的等離子能量。反應(yīng)腔頂部包括絕緣材料制成的射頻窗110，射頻窗通常由氧化硅或者氧化...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。