技術(shù)編號：8413955
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體器件結(jié)構(gòu)及其制造方法，具體地，涉及一種MOS晶體管結(jié)構(gòu)及其制造方法。技術(shù)背景在MOSFET結(jié)構(gòu)中，柵極寄生電容是影響器件頻率響應和開關速度的關鍵性因素，決定柵極RC延時以及RF頻率響應。為了提高器件性能，我們需要盡可能地減小MOSFET的寄生電容，而隨著器件尺寸日益減小，寄生電容的影響越來越顯著，進一步減小器件的寄生電容能夠顯著改善器件性能。寄生電容是由器件的物理結(jié)構(gòu)直接決定的，其大小與器件的尺寸直接相關。如圖1所示，柵極寄生電容主要包...
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