技術(shù)編號(hào)：8413956
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。近年來，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，晶體管尺寸不斷縮小，器件和系統(tǒng)的處理速度隨之提高。當(dāng)晶體管溝道縮短到一定程度，就會(huì)出現(xiàn)短溝道效應(yīng)，從而造成漏電流變大，開關(guān)效率降低，耗電和發(fā)熱量增大，從而影響器件的性能，為有效解決器件尺寸減小帶來的短溝道效應(yīng)，提高器件的性能，目前通常采用高遷移率材料替代傳統(tǒng)硅材料，比如在PMOS中采用SiGe材料，在器件的制造過程中一般采用在整個(gè)MOSFET區(qū)域都先生長(zhǎng)一層SiGe材料，然后制備晶體管，其制備工藝復(fù)雜，且生產(chǎn)成本較高。因此，如...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。