技術編號：8417769
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 專利文獻1中記載了一種具有利用p型包覆層和n型包覆層夾住有源層的結構的 半導體發(fā)光元件。具體而言，包括襯底；設置在襯底上方的第一導電型第一包覆層；設置 在第一包覆層上方的量子阱有源層；以及設置在量子阱有源層上方的第二導電型第二包覆 層。 專利文獻1 日本公開專利公報特開2002-270971號公報發(fā)明內(nèi)容 _發(fā)明所要解決的技術問題- 在這樣的現(xiàn)有半導體發(fā)光元件中，存在難以使抑制襯底與第一包覆層之間的晶格 失配和襯底的垂直方向上的陷光兩立的問題。 即，在上...
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