技術(shù)編號:8429720
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 本發(fā)明屬于極紫外光刻,具體涉及一種具有極紫外光譜純度及熱穩(wěn)定性 的多層膜。背景技術(shù) 極紫外(EUV)光刻是最有可能實(shí)現(xiàn)22nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的下一代光刻技術(shù)。極紫外光 刻系統(tǒng)使用波長為13. 5nm,在此波段,大多數(shù)材料的吸收系數(shù)都很高,所以只能采用全反射 式系統(tǒng)。為了進(jìn)一步縮短曝光時間,提高產(chǎn)量,需要在光學(xué)元件上鍍制高精度多層膜以提高 反射率?,F(xiàn)有技術(shù)中,極紫外波段鍍制的多層膜是周期數(shù)為40、周期厚度為7nm的Mo/Si多 層膜。該極紫外多層膜的主要工作波段...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。