技術編號:8432099
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。通常,在一片半導體襯底上沉積金屬層和絕緣層,或者形成微圖案,以便形成半導體器件。此外,也可通過接合形成有諸如金屬層和絕緣層之類的薄膜層以及微圖案的兩片或更多片半導體襯底,形成半導體器件。半導體襯底意指通過生長半導體原材料,并使半導體原材料單晶化成棒狀,根據晶體取向薄薄地模切單晶化的半導體原材料,并且研磨和拋光模切的半導體原材料而獲得的襯底,也被稱為晶片。當接合兩片或更多片半導體襯底時,必須考慮在半導體襯底的對準期間產生的誤差。通常,在半導體襯底的對準中,通...
注意:該技術已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權人授權前,僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。