技術(shù)編號(hào)：84354
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種薄膜形成裝置，該薄膜形成裝置用于制造光學(xué)薄膜以及在光學(xué)設(shè)備、光電子學(xué)用設(shè)備和半導(dǎo)體設(shè)備等中使用的薄膜，特別涉及具有等離子發(fā)生單元的薄膜形成裝置。 背景技術(shù)以往，使用在真空槽內(nèi)等離子化后的反應(yīng)性氣體進(jìn)行基板上的薄膜形成、所形成的薄膜的表面改良、蝕刻等等離子處理。例如，公知有這樣的技術(shù)使用濺射技術(shù)在基板上形成由金屬的不完全反應(yīng)物構(gòu)成的薄膜，使等離子化后的反應(yīng)性氣體與該由不完全反應(yīng)物構(gòu)成的薄膜接觸，從而形成由金屬化合物構(gòu)成的薄膜的技術(shù)(例如專利文獻(xiàn)1)。 在該技術(shù)中，為了使反應(yīng)性氣體在薄膜形成裝置...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。