技術(shù)編號：8446750
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。當(dāng)器件的關(guān)鍵尺寸進(jìn)入到45納米以下時，傳統(tǒng)的干法光刻技術(shù)由于分辨率的極限而無法滿足生產(chǎn)的工藝要求，浸入式光刻工藝由于其優(yōu)越的技術(shù)性能和良好的性價比隨之大規(guī)模進(jìn)入到生產(chǎn)領(lǐng)域。請參閱圖1，圖1是晶圓邊緣的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，晶圓I邊緣的形貌包括3個區(qū)域，分別為上斜面2、頂端面3和下斜面4。由于在集成電路的生產(chǎn)過程中邊緣的區(qū)域是不受工藝精確控制的，所以往往會生長一些額外的薄膜形成缺陷而不能被后續(xù)工藝去除。這些缺陷的尺寸往往會達(dá)到30?100微米。而且，由...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。