技術(shù)編號：8463154
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。使用III族氮化物膜的肖特基勢皇二極管(下文中也被稱為SBD)的優(yōu)異性表現(xiàn)在高頻特性、擊穿電壓特性、低開關(guān)損耗等，因此近年來受到關(guān)注。例如，日本專利特許公開N0.2006-156457 (PTD I)公開了使用生長在硅襯底上的III族氮化物膜。引用列表專利文獻PTDl日本專利特許公開 N0.2006-156457發(fā)明內(nèi)容技術(shù)問題關(guān)于日本專利特許公開N0.2006-156457 (PTDl)中公開的SBD (肖特基勢皇二極管)，SBD中使用的III族氮化物膜...
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