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技術(shù)編號：8474176

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身體接觸型MOSFET設(shè)備已經(jīng)被廣泛地應(yīng)用于無線電頻率(RF)中。低損耗及高線性是應(yīng)用于RF SOI開關(guān)裝置及調(diào)諧器裝置的身體接觸型M0SSFET的關(guān)鍵需求。但是，傳統(tǒng)的身體接觸型MOSFET中的寄生電容會引起導(dǎo)通狀態(tài)電阻及關(guān)閉狀態(tài)電容(ON-state-resistance*OFF-state_capacitance，簡稱Ron*Coff)系數(shù)的增加，從而引起高RF損失以及低線性。因此，亟需一種新型的身體接觸型MOSFET設(shè)備以解決上述問題。發(fā)明內(nèi)容有鑒...
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