技術(shù)編號(hào):8488843
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。密集溝槽是溝槽型功率器件常用的結(jié)構(gòu)。制備這些器件需要在溝槽的表面上覆蓋柵氧化層,然后填充導(dǎo)電多晶硅以形成柵極。具體的,現(xiàn)有的一種柵氧化層的制備方法包括通過在半導(dǎo)體襯底的表面上形成圖案化掩膜,然后根據(jù)所述圖案化掩膜,對(duì)所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行刻蝕,形成溝槽,進(jìn)而在所述溝槽的表面上生長(zhǎng)柵氧化層。但是,上述方案通常會(huì)對(duì)溝槽的內(nèi)壁造成損傷,形成損傷層,并在溝槽的底部形成突起。而對(duì)功率器件而言,損傷層和底部突起則會(huì)降低后續(xù)在溝槽表面生長(zhǎng)的柵氧化層的質(zhì)量,繼而影響器件的器件...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。