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集成電路典型地包含非常大量的電路組件形成在給定的芯片面積上，其中，半導(dǎo)體裝置代表電路組件的重要實(shí)現(xiàn)。舉例而言，目前的先進(jìn)IC(集成電路，integratedcircuit, IC)是由數(shù)百萬個(gè)場(chǎng)效晶體管所形成，該場(chǎng)效晶體管又稱為MOS晶體管或M0SFET，且一般來說MOSFET可以視為在現(xiàn)代IC中的主要半導(dǎo)體裝置。因此，邁向增進(jìn)的效能和較低的積集體積的努力已經(jīng)主要導(dǎo)向減少基本晶體管結(jié)構(gòu)的尺寸。持續(xù)增進(jìn)半導(dǎo)體裝置效能的驅(qū)動(dòng)力是由微縮的摩爾定律(Moore’ ...
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