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功率半導(dǎo)體器件及制造方法和截止環(huán)的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:8488957

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目前,為了提高芯片中的功率半導(dǎo)體器件阻斷高壓性能及該器件的可靠性,通常沿功率半導(dǎo)體器件有源區(qū)外圍依次設(shè)置分壓結(jié)構(gòu)和截止環(huán),另外,還可在截止環(huán)外圍設(shè)置劃片槽,從而形成如圖1所示的功率半導(dǎo)體器件,圖1為現(xiàn)有技術(shù)中功率半導(dǎo)體器件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖,其中,11為有源區(qū),12為分壓區(qū),13為截止環(huán),14為劃片槽。若功率半導(dǎo)體器件為N型襯底,則其中的分壓結(jié)構(gòu)為P型摻雜,通過在功率半導(dǎo)體器件外圍注入高劑量的N型摻雜,從而形成如圖1所示的截止環(huán)。但現(xiàn)有技術(shù)中的截止環(huán)由于采用...
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