技術(shù)編號(hào)：8488958
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。目前，為了提高芯片中的功率半導(dǎo)體器件阻斷高壓性能及該器件的可靠性，通常沿功率半導(dǎo)體器件有源區(qū)外圍依次設(shè)置分壓結(jié)構(gòu)和截止環(huán)，另外，還可在截止環(huán)外圍設(shè)置劃片槽，從而形成如圖1所示的功率半導(dǎo)體器件，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中功率半導(dǎo)體器件的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，其中，11為有源區(qū)，12為分壓區(qū)，13為截止環(huán)，14為劃片槽。若功率半導(dǎo)體器件為N型襯底，則其中的分壓結(jié)構(gòu)為P型摻雜，通過在功率半導(dǎo)體器件外圍注入高劑量的N型摻雜，從而形成如圖1所示的截止環(huán)。但現(xiàn)有技術(shù)中的截止環(huán)由于采用...
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