技術編號：8516151
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。 通常，諸如氮化嫁（GaN)的III族氮化物具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和直接躍遷型能帶 結構。因此，為了應用于發(fā)射可見光和紫外光的諸如發(fā)光二極管或激光二極管的發(fā)光器件， 已經(jīng)對氮化嫁化合物半導體進行了廣泛地研究。具體地，使用氮化銅嫁（InGaN)的藍色和 綠色發(fā)光二極管已經(jīng)被用于諸如大尺寸真彩色平板顯示裝置、信號燈、室內照明、高密度光 源、高分辨率輸出系統(tǒng)、光通信等的范圍廣泛的領域中。 在半導體器件的制造中，氮化嫁化合物半導體層通常通過金屬有機化學氣相沉積 (MO...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。