技術(shù)編號：8527345
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體退化評估及壽命預(yù)測領(lǐng)域。背景技術(shù) 功率MOSFET由于其開通速度快，熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于混合動(dòng)力車、 航天飛行器等設(shè)備的電力電子電路中。近年來隨著微電子器件加工工藝的迅速發(fā)展，器件 的溝道長度、柵極氧化層厚度等尺寸不斷縮小，器件動(dòng)態(tài)特性也隨之提高，功率損耗以及費(fèi) 用顯著降低。但器件尺寸縮小的同時(shí)，MOSFET的熱載流子注入、柵氧化層經(jīng)時(shí)擊穿等退化 更加顯著，由此導(dǎo)致的氧化層、界面態(tài)缺陷損傷積累，最終將導(dǎo)致MOSFET的柵極失去控...
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