技術編號：8529313
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。在半導體薄膜制程中晶圓的狀態(tài)是至關重要的，晶圓在反應腔內經受高溫、真空、射頻場等影響必然會有物理變形，晶圓的變形量是工藝編制中非常重要的一個數(shù)據，尤其是在TSV行業(yè)中的晶圓，因其特殊的晶圓加工方式，在硅片與玻璃片鍵合的過程中存在不同材料熱膨脹系數(shù)、鍵合時的空氣殘留、鍵合過程中產生的應力等，使得TSV行業(yè)的晶圓在薄膜制程中會有更大的翹曲。如果不能掌握晶圓翹曲的程度，就會嚴重影響薄膜的開發(fā)。而現(xiàn)有的測試設備體積龐大、成本較高。發(fā)明內容本發(fā)明以解決上述問題為目的...
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