技術(shù)編號：8531985
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及，特別涉及具有溝槽柵結(jié)構(gòu)的絕緣柵型的改良。背景技術(shù)在推進(jìn)電力變換裝置的低功耗化的過程中，對于在該電力變換裝置中發(fā)揮核心作用的功率器件的低功耗化的期望值較高。在該功率器件當(dāng)中，通過電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)而能夠?qū)崿F(xiàn)低通態(tài)電壓，而且因?yàn)檫M(jìn)行電壓驅(qū)動(dòng)，因此容易進(jìn)行柵極控制的絕緣柵型雙極晶體管(以下，稱為IGBT)的使用逐漸趨于穩(wěn)定。對于該IGBT的結(jié)構(gòu)，在圖24中示出了一例。在圖24中，為了容易觀察附圖，省略了表示截面的陰影線的一部分。在圖24(a)的主要部分截面...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。