技術(shù)編號(hào):8544711
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。傳統(tǒng)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類一易失性和非易失性,易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM,SRAM和DRAM存儲(chǔ)器易于使用、性能好,可在掉電的時(shí)候均會(huì)失去所保存的數(shù)據(jù);非易失性存儲(chǔ)器在掉電的情況下并不會(huì)丟失所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù),然而所有的主流非易失性存儲(chǔ)器均源自于只讀存儲(chǔ)器(ROM)技術(shù),所有由ROM技術(shù)研發(fā)出的存儲(chǔ)器都具有寫入信息困難的特點(diǎn),這些技術(shù)包括有EPR0M、EEPR0M和Flash。這些存儲(chǔ)器不僅寫入速度慢,而且只能有限次的擦寫,同時(shí)...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。
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