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多晶硅薄膜和半導(dǎo)體器件的制備方法、顯示基板及裝置的制造方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):8544971

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現(xiàn)有的非晶硅本身存在很多無(wú)法避免的缺點(diǎn),例如,低迀移率、低穩(wěn)定性等。與非晶硅相比,低溫多晶硅具有較高的迀移率和穩(wěn)定性。因此,低溫多晶硅技術(shù)迅速發(fā)展。然而,多晶硅的晶粒尺寸的不均勻性以及晶粒的不規(guī)則排列會(huì)引起閾值電壓的不均勻性,從而影響顯示面板的畫面品質(zhì)。發(fā)明內(nèi)容為解決上述問(wèn)題,本發(fā)明提供一種多晶硅薄膜和半導(dǎo)體器件的制備方法、顯示基板及裝置,用于解決現(xiàn)有技術(shù)中多晶硅的晶粒尺寸不均勻以及晶粒排列不規(guī)則的問(wèn)題。為此,本發(fā)明提供一種多晶硅薄膜的制備方法,包括在基板...
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