技術(shù)編號(hào)：8544985
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，目前已經(jīng)逐步從簡(jiǎn)單的平面結(jié)構(gòu)過度到較為復(fù)雜的三維結(jié)構(gòu)，尤其是目前三維存儲(chǔ)器的技術(shù)研發(fā)已經(jīng)成為國(guó)際上研發(fā)的一個(gè)主流。為了能夠形成三維結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器，通常需要沉積較厚的薄膜，同時(shí)進(jìn)行高深寬比的刻蝕，這樣相對(duì)于常規(guī)的二維結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器，常常會(huì)帶來一些新的挑戰(zhàn)。由于沉積了較厚的薄膜，沉積的薄膜和襯底硅片的應(yīng)力不匹配，通常會(huì)產(chǎn)生較大的應(yīng)力，從而導(dǎo)致硅片產(chǎn)生一定程度的翹曲；由于需要進(jìn)行高深寬比的刻蝕，為了防止光刻膠的傾倒，通常需要沉積一定厚度的硬...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。