技術(shù)編號:8547388
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。在通過提拉(CZ)法生長的單晶硅的生產(chǎn)中,多晶硅首先在拉晶裝置的諸如石英坩禍的坩禍中熔化,以形成硅熔體。晶種被下降到熔體中,并且緩慢地從熔體上升出以生產(chǎn)硅熔體。為了使用該方法生產(chǎn)高質(zhì)量單晶錠,與晶錠直接相鄰的熔體的表面的溫度和穩(wěn)定性必須被維持成大體恒定。需要更有效的系統(tǒng)和方法來限制與晶錠直接相鄰的熔體中的溫度波動和表面擾動。該背景技術(shù)章節(jié)意在向讀者介紹可能與本發(fā)明的各方面相關(guān)的技術(shù)的各方面,這些方面在下文被描述和/或要求。相信該討論有助于為讀者提供背景信息...
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