技術(shù)編號(hào)：8552738
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于材料化學(xué)，涉及一種常溫原位控制合成砸硫銅三元化合物的化學(xué)方法。背景技術(shù)眾所周知，過渡金屬硫族化合物微納米材料除了具有納米材料特有的表面效應(yīng)、宏觀量子隧道效應(yīng)和小尺寸效應(yīng)外，同時(shí)還是一類非常重要的半導(dǎo)體材料，由于具有光學(xué)、電化學(xué)、磁學(xué)等卓越性能，被廣泛地應(yīng)用于納米醫(yī)學(xué)材料、光電轉(zhuǎn)換材料、催化材料、儲(chǔ)能材料、非線性光學(xué)材料、磁性材料、傳感器材料等前沿領(lǐng)域，具有很大的潛力，吸引了眾多國內(nèi)外科研工作者的關(guān)注。例如，硫化鎘(CdS)、砸化鎘(CdSe)、硫...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。