技術(shù)編號(hào)：8563644
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。在原子分子物理研宄領(lǐng)域，為了在實(shí)驗(yàn)室中獲得很高電荷態(tài)離子，一般采用以下兩種方法實(shí)現(xiàn)第一種方法是用大型加速器產(chǎn)生的相對(duì)論性重離子轟擊靜止的固體靶，把離子剝離到高電荷態(tài)，其中，相對(duì)論性重離子是指速度接近光速的重離子。第二種方法是用能量低得多的電子去轟擊幾乎靜止的重原子氣體靶，剝離離子到高電荷態(tài)。其中，第二種方法常在電子束離子講(英文Electron Beam 1n Trap，簡(jiǎn)稱EBIT)實(shí)驗(yàn)中用到。在實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。