技術(shù)編號：8563651
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。常規(guī)的集成電路(IC)可以包括至少一個可編程的電路元件，諸如片上電熔絲(electrical fuse, eFuse)，其用來定制所述1C，例如根據(jù)eFuse的編程狀態(tài)，可以依照客戶的合同或授權(quán)需求來啟用或禁止IC的特征。eFuse的誕生源于幾年前IBM工程師的一個發(fā)現(xiàn)與更舊的激光熔斷技術(shù)相比，電子迀移(EM)特性可以用來生成小得多的熔絲結(jié)構(gòu)。電熔絲可以在芯片上編程，不論是在晶圓探測階段還是在封裝過程中。采用I/O電路的片上電壓(通常為2.5V)，一個持續(xù)...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。