技術(shù)編號(hào)：8564947
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。作為第三代半導(dǎo)體材料中技術(shù)發(fā)展最為成熟的材料，SIC具有寬帶隙、高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高熱導(dǎo)率、高載流子飽和迀移率以及高鍵合能等優(yōu)點(diǎn)。其優(yōu)異性能可以滿足現(xiàn)代電子技術(shù)的特殊領(lǐng)域的新需求，特別適合制造高頻、大功率、抗輻射、抗腐蝕的電子器件，因而被當(dāng)做是半導(dǎo)體材料領(lǐng)域中最有前景的材料之一。許多國(guó)家相繼投入了大量的資金對(duì)Sic進(jìn)行了各方面深入的研宄，同時(shí)晶體生長(zhǎng)設(shè)備也日益被人們所重視。碳化硅晶體生長(zhǎng)設(shè)備采用中頻感應(yīng)加熱方式，整個(gè)加熱電路由感應(yīng)線圈、中頻電源和諧振電容組成...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無(wú)完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。