技術(shù)編號(hào):8581737
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。離子束刻蝕是利用低能量平行Ar+離子束對(duì)基片表面進(jìn)行轟擊,將基片表面未覆蓋掩膜的部分濺射出,從而達(dá)到選擇刻蝕的目的。離子束刻蝕是純物理刻蝕過(guò)程,在各種常規(guī)刻蝕方法中具有分辨率最高、陡直性最好的特點(diǎn),并且可以對(duì)絕大部分材料進(jìn)行刻蝕,例如金屬、合金、氧化物、化合物、混合材料、半導(dǎo)體、絕緣體、超導(dǎo)體等材料。傳統(tǒng)離子源是利用一根連接桿將加速法蘭、抑制法蘭與放電室連接在一起,由于燈絲的使用壽命短,需要經(jīng)常拆卸離子源進(jìn)行跟換。因?yàn)橐种品ㄌm與加速法蘭是單獨(dú)裝配的,手工裝...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。