技術(shù)編號：86116
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，且更具體地，涉及一種具有豎直型溝道的半導(dǎo)體器件和用于制造該器件的方法。 背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體器件集成度的提高，單元電荷的增加和刷新特性的改善與動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)器件的可靠性具有直接的關(guān)系。 此外，DRAM器件使用具有水平型溝道的單元。圖1示出具有水平型溝道的常規(guī)單元結(jié)構(gòu)的橫截面視圖。具有水平型單元的單元結(jié)構(gòu)被稱為水平溝道單元。 如圖1中所示，多個柵線形成在襯底111之上，所述多個柵線中的每個通過將柵氧化物層112、柵氧化物層113和柵硬掩模114順序堆疊...
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