技術(shù)編號：86196
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及光電材料和器件領(lǐng)域，尤其涉及一種氮化鎵(GaN)單晶襯底制備方法。 背景技術(shù)GaN基III-V族氮化物是重要的直接帶隙的寬禁帶半導(dǎo)體材料。由于其特有的帶隙范圍，優(yōu)良的光、電學(xué)性質(zhì)，優(yōu)異的材料機(jī)械和化學(xué)性能，在藍(lán)、綠、紫、紫外光及白光發(fā)光二極管(LED)、短波長激光二極管(LD)、紫外光探測器和功率電子器件等光電子器件和電子器件以及特殊條件下的半導(dǎo)體器件等領(lǐng)域中有廣泛的應(yīng)用前景，吸引著人們的濃厚興趣。 目前生長GaN襯底的主要方法有高溫高壓下，氮?dú)馀c金屬鎵的直接反應(yīng)制備法、或者利用助溶劑方法在較低...
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