技術(shù)編號：8667484
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實用新型涉及一種半導(dǎo)體器件，尤其是一種能實現(xiàn)電流雙向流通的功率MOSFET器件，屬于功率半導(dǎo)體器件的。背景技術(shù)垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(VDMOS)是一種公知的半導(dǎo)體功率MOSFET器件，因其易驅(qū)動、低損耗等優(yōu)點被廣泛地應(yīng)用于各類電子電路當(dāng)中。VDMOS是一個電壓驅(qū)動型的三端器件，包括柵極、源極和漏極，器件導(dǎo)通工作時，柵極施加一個驅(qū)動電壓，在器件的源漏之間形成溝道，同時漏極施加一個相對于源極的電壓Vds使得載流子在源極與漏極直接流動形成電流；器件耐壓工...
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