技術(shù)編號：8788035
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。近年來，用于高頻整流的開關(guān)二極管等半導體裝置被要求高速化。為了使二極管高速化而需要將半導體裝置內(nèi)的載流子壽命調(diào)整得較短，縮短電流的反向恢復時間，作為其辦法，公知以下的辦法等在半導體中使用輕離子照射、電子線照射等，并導入作為壽命抑制因素來發(fā)揮功能的結(jié)晶缺陷，縮短反向恢復時間?，F(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻1日本特開2010-109031號公報三墾電氣實用新型內(nèi)容但是，存在這樣的問題在導入結(jié)晶缺陷來縮短反向恢復時間的情況下，反向電流波形的上升坡度變得急劇，得不到...
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